Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP155N60EF-GE3, SIHP系列

RS 库存编号:: 279-9927
制造商零件编号:: SIHP155N60EF-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP155N60EF-GE3, SIHP系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 2 件）*

RMB59.02

(不含税)

RMB66.70

996 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
2 - 8	RMB29.51	RMB59.02
10 - 28	RMB28.895	RMB57.79
30 - 98	RMB28.28	RMB56.56
100 +	RMB27.765	RMB55.53

* 参考价格

RS 库存编号:: 279-9927
制造商零件编号:: SIHP155N60EF-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	21A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	SIHP
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.157Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	179W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	38nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 21A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 SIHP
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.157Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 179W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHP155N60EF-GE3

Vishay SIHP 系列 MOSFET,600 V 漏源电压,21 A 连续漏电流 - SIHP155N60EF-GE3

这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为工业和电子控制环境中的电源开关而设计。它作为一款采用通孔 TO-220 封装的增强模式设备运行,可为需要大量排放源电压和热耐久性的应用提供强大的功率处理。

特性和优点：

• 600 V 排放源额定值可实现高电压切换能力
• 21 A 连续漏电流支持高负载电流
• 0.157 Ω 低 Rds(on) 可减少传导损耗
• 179W 功耗可实现持久的功率处理
• 38 nC 典型栅极电荷允许可预测的开关行为
• 工作温度范围为-55°C至150°C,适用于恶劣温度条件

应用

• 适用于高电压电源和转换器
• 工业自动化电机驱动电路的理想之选
• 用于照明控制中的开关模式电源电子设备
• 可用于工业设备中的变频器级
• 与电源组件中的热管理系统配合使用

为实现可靠的开关,需要考虑哪些栅极驱动因素?

栅极容差最大为 ±30 V,因此栅极驱动器应遵守此限制,并提供足够的驱动电流,以为受控开关速度充电 38 nC 的典型栅极电荷。

热管理应如何进行连续运行?

具有 179W 最大功耗和 TO-220 安装,将设备固定到适当的散热器上,并确保足够的气流,以保持接线温度在 -55 °C 至 150 °C 工作范围内。

设计过程中必须遵守哪些电气限制?

为避免超过设备额定值,该晶体管不得承受超过 600 V 的漏源电压或超过 21 A 的连续漏电流。

该设备用于 PCB 或底盘集成的封装和安装方式是什么?

它采用通孔 TO-220AB 封装,带三个引脚,可实现牢固的底盘安装并在传统设计中轻松更换。

Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 21 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP155N60EF-GE3, SIHP系列

批量定价选项