Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=21 A, 3针, JEDEC TO-220AB, SIHP系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 2 件）*

RMB54.59

(不含税)

RMB61.686

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 946 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
2 - 8RMB27.295RMB54.59
10 - 28RMB26.725RMB53.45
30 - 98RMB26.155RMB52.31
100 +RMB25.68RMB51.36

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
279-9927
制造商零件编号:
SIHP155N60EF-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

21A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

JEDEC TO-220AB

系列

SIHP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.157Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

38nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

179W

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay SIHP 系列 MOSFET,600 V 漏源电压,21 A 连续漏电流 - SIHP155N60EF-GE3


这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为工业和电子控制环境中的电源开关而设计。它作为一款采用通孔 TO-220 封装的增强模式设备运行,可为需要大量排放源电压和热耐久性的应用提供强大的功率处理。

特性和优点：


• 600 V 排放源额定值可实现高电压切换能力
• 21 A 连续漏电流支持高负载电流
• 0.157 Ω 低 Rds(on) 可减少传导损耗
• 179W 功耗可实现持久的功率处理
• 38 nC 典型栅极电荷允许可预测的开关行为
• 工作温度范围为-55°C至150°C,适用于恶劣温度条件

应用


• 适用于高电压电源和转换器
• 工业自动化电机驱动电路的理想之选
• 用于照明控制中的开关模式电源电子设备
• 可用于工业设备中的变频器级
• 与电源组件中的热管理系统配合使用

为实现可靠的开关,需要考虑哪些栅极驱动因素?


栅极容差最大为 ±30 V,因此栅极驱动器应遵守此限制,并提供足够的驱动电流,以为受控开关速度充电 38 nC 的典型栅极电荷。

热管理应如何进行连续运行?


具有 179W 最大功耗和 TO-220 安装,将设备固定到适当的散热器上,并确保足够的气流,以保持接线温度在 -55 °C 至 150 °C 工作范围内。

设计过程中必须遵守哪些电气限制?


为避免超过设备额定值,该晶体管不得承受超过 600 V 的漏源电压或超过 21 A 的连续漏电流。

该设备用于 PCB 或底盘集成的封装和安装方式是什么?


它采用通孔 TO-220AB 封装,带三个引脚,可实现牢固的底盘安装并在传统设计中轻松更换。

相关链接