Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 51 A, 8x8LR, 表面安装, 8引脚, SIHR080N60E-T1-GE3, E系列

RS 库存编号:: 279-9929
制造商零件编号:: SIHR080N60E-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 51 A, 8x8LR, 表面安装, 8引脚, SIHR080N60E-T1-GE3, E系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB48.79

(不含税)

RMB55.13

1,964 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 - 49	RMB48.79
50 - 99	RMB36.58
100 - 249	RMB32.50
250 - 999	RMB31.84
1000 +	RMB31.17

* 参考价格

RS 库存编号:: 279-9929
制造商零件编号:: SIHR080N60E-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	51A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	E
	包装类型	8x8LR
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.084Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	500W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	63nC
	最高工作温度	150°C
	长度	8mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 51A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 E
	包装类型 8x8LR
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.084Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 500W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC
	最高工作温度 150°C
	长度 8mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHR080N60E-T1-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,600 V 漏源电压,51 A 最大连续漏电流 - SIHR080N60E-T1-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高压开关设备,专为要求严苛的工业电子产品和电力系统而设计。它作为增强模式的 N 通道晶体管,专为表面安装安装而设计,可为高电压应用提供稳健的性能,同时仍适用于需要紧凑型板载电源组件的环境。

特性和优点：

• 600 V 漏电能力,适用于高电压切换
• 51 A 连续电流处理,适用于重负载
• 0.084Ω 低 Rds(on),可减少传导损耗
• 500W 散热间隔功耗
• 63nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 最大 30 V 栅极,可适应常见驱动电压

应用

• 适用于工业电机驱动变频器级别
• 适用于高电压电源和转换器
• 用于自动化设备的直流-直流转换
• 可用于电源管理系统的切换级别
• 在恶劣环境中与高温组件配合使用

该设备在运行过程中可承受的温度范围是多少?

它的额定工作温度范围为-55°C至150°C,可用于暴露于广泛热变化的系统。

该设备如何封装用于 PCB 组装?

它采用表面贴装 8x8LR 封装,带八个引脚,支持紧凑型 PCB 布局和自动布置。

应遵守哪些栅极驱动因素?

栅极不得超过 ±30V

设计人员应确保驱动电路将 Vgs 限制在此阈值范围内,以防止栅极损坏。

开关行为对热管理有何影响?

63nC 的典型栅极电荷影响开关损耗,因此影响高频运行期间的热量产生,从而提供散热器或PCB铜的要求。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 51 A, 8x8LR, 表面安装, 8引脚, SIHR080N60E-T1-GE3, E系列

批量定价选项