Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 51 A, 8x8LR, 表面安装, 8引脚, SIHR080N60E-T1-GE3, E系列

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279-9929P
制造商零件编号:
SIHR080N60E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

51A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

E

包装类型

8x8LR

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.084Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

500W

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

长度

8mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay E 系列功率 MOSFET,600 V 漏源电压,51 A 最大连续漏电流 - SIHR080N60E-T1-GE3


这款功率 MOSFET 是一款高压开关设备,专为要求严苛的工业电子产品和电力系统而设计。它作为增强模式的 N 通道晶体管,专为表面安装安装而设计,可为高电压应用提供稳健的性能,同时仍适用于需要紧凑型板载电源组件的环境。

特性和优点：


• 600 V 漏电能力,适用于高电压切换
• 51 A 连续电流处理,适用于重负载
• 0.084Ω 低 Rds(on),可减少传导损耗
• 500W 散热间隔功耗
• 63nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 最大 30 V 栅极,可适应常见驱动电压

应用


• 适用于工业电机驱动变频器级别
• 适用于高电压电源和转换器
• 用于自动化设备的直流-直流转换
• 可用于电源管理系统的切换级别
• 在恶劣环境中与高温组件配合使用

该设备在运行过程中可承受的温度范围是多少?


它的额定工作温度范围为-55°C至150°C,可用于暴露于广泛热变化的系统。

该设备如何封装用于 PCB 组装?


它采用表面贴装 8x8LR 封装,带八个引脚,支持紧凑型 PCB 布局和自动布置。

应遵守哪些栅极驱动因素?


栅极不得超过 ±30V

设计人员应确保驱动电路将 Vgs 限制在此阈值范围内,以防止栅极损坏。

开关行为对热管理有何影响?


63nC 的典型栅极电荷影响开关损耗,因此影响高频运行期间的热量产生,从而提供散热器或PCB铜的要求。

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