Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 56.7 A, SO-8L, 贴片安装, 7引脚
- RS 库存编号:
- 279-9933
- 制造商零件编号:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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¥18,429.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB6.143 | RMB18,429.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9933
- 制造商零件编号:
- SIJ4108DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 56.7 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | SO-8L | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 56.7 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 SO-8L | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
完全无铅 (Pb) 的器件
极低 RDS x Qg 品质因数
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
完全无铅 (Pb) 的器件
极低 RDS x Qg 品质因数
100% 通过 Rg 和 UIS 测试