Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=47.6 A, 8针, SO-8, SiR系列
- RS 库存编号:
- 279-9944P
- 制造商零件编号:
- SIR5110DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 60 - 96 | RMB18.378 |
| 100 - 236 | RMB16.335 |
| 240 - 996 | RMB16.008 |
| 1000 + | RMB15.678 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9944P
- 制造商零件编号:
- SIR5110DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 47.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | SiR | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0125Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大功耗 Pd | 59.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 47.6A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 SiR | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0125Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最大功耗 Pd 59.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 5.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
完全无铅 (Pb) 的器件
极低 RDS x Qg 品质因数
100% 通过 Rg 和 UIS 测试