Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 47.6 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR5110DP-T1-RE3, SiR系列

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包装方式：
RS 库存编号:
279-9944P
制造商零件编号:
SIR5110DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

47.6A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

SiR

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0125Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

59.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

20nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

5.15mm

汽车标准

否

Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

完全无铅 (Pb) 的器件

极低 RDS x Qg 品质因数

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

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