制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=42.6 A, 8针, SO-8, SiR系列

RS 库存编号:: 279-9946
制造商零件编号:: SIR5112DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=42.6 A, 8针, SO-8, SiR系列

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4 - 56	RMB18.653	RMB74.61
60 - 96	RMB17.355	RMB69.42
100 - 236	RMB15.373	RMB61.49
240 - 996	RMB15.10	RMB60.40
1000 +	RMB14.825	RMB59.30

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RS 库存编号:: 279-9946
制造商零件编号:: SIR5112DP-T1-RE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	42.6A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SO-8
	系列	SiR
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.0149Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	56.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	16nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	长度	5.15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 42.6A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SO-8
	系列 SiR
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.0149Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 56.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	长度 5.15mm
	汽车标准否

Datasheet - SIR5112DP-T1-RE3

Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

完全无铅 (Pb) 的器件

极低 RDS x Qg 品质因数

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

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