Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 37.1 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 279-9953
- 制造商零件编号:
- SIR5623DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | RMB16.015 | RMB64.06 |
| 60 - 96 | RMB15.148 | RMB60.59 |
| 100 - 236 | RMB13.48 | RMB53.92 |
| 240 - 996 | RMB13.23 | RMB52.92 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9953
- 制造商零件编号:
- SIR5623DP-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 37.1 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 37.1 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SO-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Vishay MOSFET 是一种 P 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
新一代功率 MOSFET
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
超低 RDS x Qg FOM 产品
完全无铅 (Pb) 的器件
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