Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 478 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIRS4302DP-T1-GE3, SIRS系列
- RS 库存编号:
- 279-9962
- 制造商零件编号:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB35,823.00
(不含税)
RMB40,479.00
(含税)
有库存
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB11.941 | RMB35,823.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9962
- 制造商零件编号:
- SIRS4302DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 478A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 系列 | SIRS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00057Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 230nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 478A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SO-8 | ||
系列 SIRS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00057Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 230nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SIRS系列MOSFET,30 V最大漏源电压,478 A最大连续漏电流 - SIRS4302DP-T1-GE3
这款 MOSFET 是表面贴装 N 通道设备,专为工业电子产品中的高电流功率开关而设计。它作为增强模式晶体管运行,可在直流功率级和转换器拓扑中实现受控传导,为严苛的运行条件提供更高的温度耐受性。
特性和优点：
• 478 A 连续漏电流,适用于高负载应用 • 0.00057Ω 低 Rds(on),可最大程度减少传导损耗 • 30 V排放源额定值,适用于低电压电源系统 • 230nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • 208W 功耗,可处理大量热负载 • 150°C 最高接点温度,适用于高温应用
应用
• 适用于配电装置中的直流-直流转换器 • 适用于工业自动化领域的电机驱动阶段 • 用于 PSU 设计中的高电流同步整流 • 适用于电池管理系统的电源开关 • 可用于服务器和电信电源机架的负载切换
它需要哪种安装方式,有多少引脚?
它采用SO-8表面贴装封装,采用8针配置,适用于PCB组装。
它能在什么环境温度范围内可靠运行?
该设备支持在 -55°C 至 150°C 的指定最高接点温度范围内运行。
设计人员应遵守哪些栅极电压限制?
栅极源电压不得超过±20V,以避免栅极氧化应力。
此设备是否符合危险物质的环境限制?
该组件符合 RoHS 受限材料要求。