Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 334 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIRS4600DP-T1-RE3, SIRS系列

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包装方式:
RS 库存编号:
279-9969P
制造商零件编号:
SIRS4600DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

334A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SO-8

系列

SIRS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00115Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

162nC

最大功耗 Pd

240W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

5mm

汽车标准

Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET,其中的晶体管由硅制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

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