Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 225 A, SO-8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 279-9971
- 制造商零件编号:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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小计（1 包，共 2 件）*
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB29.99 | RMB59.98 |
| 50 - 98 | RMB22.515 | RMB45.03 |
| 100 - 248 | RMB19.97 | RMB39.94 |
| 250 - 998 | RMB19.52 | RMB39.04 |
| 1000 + | RMB19.17 | RMB38.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9971
- 制造商零件编号:
- SIRS5100DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 225 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 225 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 SO-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
完全无铅 (Pb) 的器件
极低 RDS x Qg 品质因数
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
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极低 RDS x Qg 品质因数
100% 通过 Rg 和 UIS 测试