Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 36 A, 1212-8, 表面安装, 8引脚, SISS4410DN-T1-GE3, SISS系列
- RS 库存编号:
- 279-9990P
- 制造商零件编号:
- SISS4410DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥190.80
(不含税)
¥215.60
(含税)
有库存
- 另外 5,960 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB3.816 |
| 100 - 240 | RMB3.395 |
| 250 - 990 | RMB3.327 |
| 1000 + | RMB3.259 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 279-9990P
- 制造商零件编号:
- SISS4410DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | SISS | |
| 包装类型 | 1212-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.009Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大功耗 Pd | 19.8W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 36A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 SISS | ||
包装类型 1212-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.009Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最大功耗 Pd 19.8W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET 是 N 通道 MOSFET，其中的晶体管由称为硅的材料制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
完全无铅 (Pb) 的器件
极低 RDS x Qg 品质因数
100% 通过 Rg 和 UIS 测试