Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 36.3 A, 1212-8S, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 280-0000
- 制造商零件编号:
- SISS5623DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥18,765.00
(不含税)
¥21,204.00
(含税)
有库存
- 另外 6,000 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB6.255 | RMB18,765.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 280-0000
- 制造商零件编号:
- SISS5623DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 36.3 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | 1212-8S | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 36.3 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 1212-8S | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Vishay MOSFET 是一种 P 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
新一代功率 MOSFET
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
超低 RDS x Qg FOM 产品
完全无铅 (Pb) 的器件
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
超低 RDS x Qg FOM 产品
完全无铅 (Pb) 的器件