Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 36.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS5623DN-T1-GE3, SiSS5623DN系列
- RS 库存编号:
- 280-0001
- 制造商零件编号:
- SISS5623DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | RMB16.355 | RMB65.42 |
| 60 - 96 | RMB15.678 | RMB62.71 |
| 100 - 236 | RMB13.888 | RMB55.55 |
| 240 - 996 | RMB13.643 | RMB54.57 |
| 1000 + | RMB13.393 | RMB53.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 280-0001
- 制造商零件编号:
- SISS5623DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | SiSS5623DN | |
| 包装类型 | 1212-8S | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.046Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 56.8W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 36.3A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 SiSS5623DN | ||
包装类型 1212-8S | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.046Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 56.8W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET 是一种 P 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
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