制造商编号

Vishay P型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 36.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS5623DN-T1-GE3, SiSS5623DN系列

RS 库存编号:: 280-0001
制造商零件编号:: SISS5623DN-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型 MOSFET, Vds=60 V, 36.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS5623DN-T1-GE3, SiSS5623DN系列

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单位	每单位	每包*
4 - 56	RMB18.313	RMB73.25
60 - 96	RMB17.553	RMB70.21
100 - 236	RMB15.553	RMB62.21
240 - 996	RMB15.275	RMB61.10
1000 +	RMB14.995	RMB59.98

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RS 库存编号:: 280-0001
制造商零件编号:: SISS5623DN-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	36.3A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	SiSS5623DN
	包装类型	1212-8S
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.046Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	56.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	10.1nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 36.3A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 SiSS5623DN
	包装类型 1212-8S
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.046Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 56.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10.1nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SISS5623DN-T1-GE3

Vishay MOSFET 是一种 P 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。

新一代功率 MOSFET

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

超低 RDS x Qg FOM 产品

完全无铅 (Pb) 的器件

Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 36.3 A, 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS5623DN-T1-GE3, SiSS5623DN系列

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