制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=66.6 A, 8针, 1212-8S, SISS系列

RS 库存编号:: 280-0003
制造商零件编号:: SISS5808DN-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=66.6 A, 8针, 1212-8S, SISS系列

查看所有MOSFET

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 4 件）*

RMB61.51

(不含税)

RMB69.51

(含税)

有库存

5,984 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
4 - 56	RMB15.378	RMB61.51
60 - 96	RMB15.07	RMB60.28
100 - 236	RMB14.76	RMB59.04
240 - 996	RMB14.453	RMB57.81
1000 +	RMB14.14	RMB56.56

* 参考价格

RS 库存编号:: 280-0003
制造商零件编号:: SISS5808DN-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	66.6A
	最大漏源电压 Vd	80V
	包装类型	1212-8S
	系列	SISS
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.00745Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	65.7W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	长度	3.3mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 66.6A
	最大漏源电压 Vd 80V
	包装类型 1212-8S
	系列 SISS
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.00745Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 65.7W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	长度 3.3mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SISS5808DN-T1-GE3

Vishay MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。

TrenchFET 功率 MOSFET

完全无铅 (Pb) 的器件

极低 RDS x Qg 品质因数

100% 通过 Rg 和 UIS 测试

相关链接