Vishay , 2 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 36 A, 3 x 3FS, 表面安装, 12引脚, SIZF4800LDT系列, SIZF4800LDT-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 280-0006
- 制造商零件编号:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | RMB14.45 | RMB57.80 |
| 60 - 96 | RMB10.813 | RMB43.25 |
| 100 - 236 | RMB9.65 | RMB38.60 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 280-0006
- 制造商零件编号:
- SIZF4800LDT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 36A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | 3 x 3FS | |
| 系列 | SIZF4800LDT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 80 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 36A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 3 x 3FS | ||
系列 SIZF4800LDT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 12 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 80 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay MOSFET 是一种双 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
100% 通过 Rg 和 UIS 测试
对称双 n 沟道
完全无铅 (Pb) 的器件