Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=166 A, 4针, SO-8L, SQJ162EP系列
- RS 库存编号:
- 280-0019P
- 制造商零件编号:
- SQJ162EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB11.252 |
| 100 - 245 | RMB10.014 |
| 250 - 995 | RMB9.822 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 280-0019P
- 制造商零件编号:
- SQJ162EP-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 166A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8L | |
| 系列 | SQJ162EP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.005Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 166A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8L | ||
系列 SQJ162EP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.005Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive MOSFET 是一种 N 沟道 MOSFET，其中的晶体管由硅制成。
TrenchFET 功率 MOSFET
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AEC-Q101 认证
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