制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=178.3 A, 8针, PowerPAK 1212-8S, SIS系列

RS 库存编号:: 281-6039
Distrelec 货号:: 301-56-785
制造商零件编号:: SISS66DN-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=178.3 A, 8针, PowerPAK 1212-8S, SIS系列

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RS 库存编号:: 281-6039
Distrelec 货号:: 301-56-785
制造商零件编号:: SISS66DN-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	178.3A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	SIS
	包装类型	PowerPAK 1212-8S
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.00138Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	65.8W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24.7nC
	最高工作温度	150°C
	长度	3.3mm
	宽度	3.3mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 178.3A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 SIS
	包装类型 PowerPAK 1212-8S
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.00138Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 65.8W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24.7nC
	最高工作温度 150°C
	长度 3.3mm
	宽度 3.3mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SISS66DN-T1-GE3

COO (Country of Origin):: CN

Vishay N 通道 MOSFET,带肖特基二极管,适用于同步整流、同步降压转换器和直流/直流转换。

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