onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=89 A, 4针, TO-247-4L
- RS 库存编号:
- 284-9067
- 制造商零件编号:
- NTHL022N120M3S
- 制造商:
- onsemi
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- NTHL022N120M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 89A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-247-4L | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 89A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-247-4L | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
安森美半导体碳化硅 MOSFET 应用于 UPS、直流至直流转换器和升压型逆变器。
低有效输出电容
100% UIL 测试
该器件不含卤化物，符合 RoHS 7a 豁免标准，无铅
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