STMicroelectronics N型, P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 9.7 A, QFN-9, 表面安装, 31引脚, MASTERGAN1LTR, MASTERG系列
- RS 库存编号:
- 287-7041
- 制造商零件编号:
- MASTERGAN1LTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 287-7041
- 制造商零件编号:
- MASTERGAN1LTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | MASTERG | |
| 包装类型 | QFN-9 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 31 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 220mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2nC | |
| 最大功耗 Pd | 40mW | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 标准/认证 | RoHS, ECOPACK | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 9 mm | |
| 长度 | 9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9.7A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 MASTERG | ||
包装类型 QFN-9 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 31 | ||
最大漏源电阻 Rd 220mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2nC | ||
最大功耗 Pd 40mW | ||
最高工作温度 125°C | ||
标准/认证 RoHS, ECOPACK | ||
高度 1mm | ||
宽度 9 mm | ||
长度 9mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
意法半导体微控制器是一种先进的封装电源系统，集成了一个栅极驱动器和两个半桥配置的增强型氮化镓晶体管。集成功率氮化镓的 RDS(ON) 值为 150 mΩ，漏极-源极阻断电压为 650 V，而嵌入式栅极驱动器的高压侧可由集成自举二极管轻松供电。
零反向恢复损耗
VCC 上的 UVLO 保护
内部自举二极管
联锁功能