STMicroelectronics N型, P型沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=9.7 A, 31针, QFN-9, MASTERG系列
- RS 库存编号:
- 287-7041P
- 制造商零件编号:
- MASTERGAN1LTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
查看批量定价选项小计 25 件 (按连续条带形式提供)*
RMB1,283.50
(不含税)
RMB1,450.25
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 263 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 49 | RMB51.34 |
| 50 - 99 | RMB49.29 |
| 100 - 249 | RMB46.83 |
| 250 + | RMB44.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 287-7041P
- 制造商零件编号:
- MASTERGAN1LTR
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | QFN-9 | |
| 系列 | MASTERG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 31 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 220mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 40mW | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2nC | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 长度 | 9mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 9mm | |
| 标准/认证 | RoHS, ECOPACK | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9.7A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 QFN-9 | ||
系列 MASTERG | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 31 | ||
最大漏源电阻 Rd 220mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 40mW | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2nC | ||
最高工作温度 125°C | ||
长度 9mm | ||
高度 1mm | ||
宽度 9mm | ||
标准/认证 RoHS, ECOPACK | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
意法半导体微控制器是一种先进的封装电源系统，集成了一个栅极驱动器和两个半桥配置的增强型氮化镓晶体管。集成功率氮化镓的 RDS(ON) 值为 150 mΩ，漏极-源极阻断电压为 650 V，而嵌入式栅极驱动器的高压侧可由集成自举二极管轻松供电。
零反向恢复损耗
VCC 上的 UVLO 保护
内部自举二极管
联锁功能