STMicroelectronics P型, N型沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=6.5 A, 31针, QFN-9, MASTERG系列

RS 库存编号:: 287-7042
制造商零件编号:: MASTERGAN4LTR
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics P型, N型沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=6.5 A, 31针, QFN-9, MASTERG系列

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RS 库存编号:: 287-7042
制造商零件编号:: MASTERGAN4LTR
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型, N型
	最大连续漏极电流 Id	6.5A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	QFN-9
	系列	MASTERG
	安装类型	表面
	引脚数目	31
	最大漏源电阻 Rd	300mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	1.5nC
	最大功耗 Pd	40mW
	最高工作温度	125°C
	宽度	9mm
	高度	1mm
	标准/认证	RoHS, ECOPACK
	长度	9mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型, N型
	最大连续漏极电流 Id 6.5A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 QFN-9
	系列 MASTERG
	安装类型表面
	引脚数目 31
	最大漏源电阻 Rd 300mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -40°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.5nC
	最大功耗 Pd 40mW
	最高工作温度 125°C
	宽度 9mm
	高度 1mm
	标准/认证 RoHS, ECOPACK
	长度 9mm
	汽车标准否

Datasheet - MASTERGAN4LTR

COO (Country of Origin):: TH

意法半导体微控制器是一种先进的封装电源系统，集成了一个栅极驱动器和两个半桥配置的增强型氮化镓晶体管。集成功率氮化镓的 RDS(ON) 值为 225 mΩ，漏极-源极阻断电压为 650 V，而嵌入式栅极驱动器的高压侧可由集成自举二极管轻松供电。

零反向恢复损耗

VCC 上的 UVLO 保护

内部自举二极管

STMicroelectronics P型, N型沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=6.5 A, 31针, QFN-9, MASTERG系列

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