STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 5 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STP80N1K1K6, STP80N系列
- RS 库存编号:
- 287-7046
- 制造商零件编号:
- STP80N1K1K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥522.55
(不含税)
¥590.50
(含税)
有库存
- 另外 250 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB10.451 | RMB522.55 |
| 100 - 100 | RMB9.406 | RMB470.30 |
| 150 + | RMB9.217 | RMB460.85 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 287-7046
- 制造商零件编号:
- STP80N1K1K6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | STP80N | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| 最大功耗 Pd | 62W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 STP80N | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.7nC | ||
最大功耗 Pd 62W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体功率 MOSFET 的设计采用了基于意法半导体 20 年超级结技术经验的终极 MDmesh K6 技术。结果在每个区域的电阻和门充电上是同类中最好的,适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。
全球最佳 FOM
超低栅极电荷
100% 通过雪崩测试