STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 54 A, TO-247-4, 通孔安装, 3引脚, STW65N045M9-4, STW65N系列
- RS 库存编号:
- 287-7055P
- 制造商零件编号:
- STW65N045M9-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
¥664.20
(不含税)
¥750.50
(含税)
有库存
- 另外 300 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 + | RMB66.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 287-7055P
- 制造商零件编号:
- STW65N045M9-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 54A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247-4 | |
| 系列 | STW65N | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 312W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 54A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247-4 | ||
系列 STW65N | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 312W | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
意法半导体功率 MOSFET 采用最创新的超级结 MDmesh M9 技术。基于硅的 M9 技术得益于多漏极制造工艺，使器件结构得到增强。在所有硅基快速开关超级结功率 MOSFET 中，该产品是导通电阻和栅极电荷值较低的产品之一，因此特别适用于需要高功率密度和出色效率的应用。
更高的 dv/dt 能力
优异的开关性能
易于驱动
100%经过雪崩测试