onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 120 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

RS 库存编号:: 354-4935
制造商零件编号:: FDV302P
制造商:: onsemi

onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 120 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚

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制造商零件编号:: FDV302P
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	通道类型	P
	最大连续漏极电流	120 mA
	最大漏源电压	25 V
	封装类型	SOT-23
	安装类型	贴片
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	10 Ω
	通道模式	增强
	最小栅阈值电压	0.65V
	最大功率耗散	350 mW
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	+8 V
	典型栅极电荷@Vgs	0.22 nC @ 4.5 V
	长度	2.92mm
	每片芯片元件数目	1
	晶体管材料	Si
	宽度	1.3mm
	最高工作温度	+150 °C
	高度	0.93mm
	最低工作温度	-55 °C

	选择全部
	品牌 onsemi
	通道类型 P
	最大连续漏极电流 120 mA
	最大漏源电压 25 V
	封装类型 SOT-23
	安装类型贴片
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 10 Ω
	通道模式增强
	最小栅阈值电压 0.65V
	最大功率耗散 350 mW
	晶体管配置单
	最大栅源电压 +8 V
	典型栅极电荷@Vgs 0.22 nC @ 4.5 V
	长度 2.92mm
	每片芯片元件数目 1
	晶体管材料 Si
	宽度 1.3mm
	最高工作温度 +150 °C
	高度 0.93mm
	最低工作温度 -55 °C

增强模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor

在半导体方面， P 通道 MOSFET 采用半导体专有的高细胞密度 DMOS 技术制造。这种非常高密度的过程旨在最大限度地减少状态电阻，从而为快速交换提供坚固可靠的性能。

特点和优势：

•电压控制的 P 通道小信号开关
•高密度单元设计
•高饱和度电流
•卓越的交换性能
•坚固耐用、可靠的性能
* DMOS 技术

应用：

•负载切换
• DC/DC 转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制

Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管

Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。