onsemi P型, N型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=25 V, Id=680 mA, 6针, SOT-23

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包装方式：
RS 库存编号:
354-4985
制造商零件编号:
FDC6321C
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

P型, N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

680mA

最大漏源电压 Vd

25V

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

1.1mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

900mW

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.1nC

最大栅源电压 Vgs

8V, -8V

正向电压 Vf

0.89V

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

隔离式

宽度

1.7mm

高度

1mm

标准/认证

No

长度

3mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

数字 FET，Fairchild Semiconductor


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

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