Infineon N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=600 V, 120 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, BSP135H6327XTSA1, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 354-5708
- Distrelec 货号:
- 302-83-876
- 制造商零件编号:
- BSP135H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 354-5708
- Distrelec 货号:
- 302-83-876
- 制造商零件编号:
- BSP135H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45Ω | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.8W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.5 mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Distrelec Product Id | 302-83-876 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120mA | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 SIPMOS | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 45Ω | ||
通道模式 消耗 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.8W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.7nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.5 mm | ||
高度 1.6mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Distrelec Product Id 302-83-876 | ||
英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，120 mA 最大连续漏极电流，1.8 W 最大功率耗散 - BSP135H6327XTSA1
这种 MOSFET 适用于高效开关应用，以其高电压处理能力和低功耗特性而著称。作为单 N 沟道耗尽模式 MOSFET，它非常适合需要紧凑型表面贴装解决方案的各种电子应用。它的最大漏极-源极电压为 600V，非常适合注重效率和可靠性的汽车和电源管理行业。
特点和优势
• 利用 SIPMOS® 技术提高效率
• 支持高达 600V 的高压容量，确保运行可靠性
• 额定 120mA 的低功耗提高了能源效率
• 专为表面贴装应用而设计，具有节省空间的优势
• 额定 1A 静电放电保护，可保护敏感电路
• 通过 AEC-Q101 汽车认证，符合行业标准
应用
• 适用于电子设备的电源管理解决方案
• 用于低电压 具有高压能力
• 集成在包装中，实现高效热管理
• 用于需要坚固元件的控制电路中
热阻值对性能有何影响？
热阻表明设备的散热效果，确保设备在连续使用过程中在安全范围内运行。较低的热阻值可以通过改善热管理来提高性能，尤其是在大电流应用中。
这种 MOSFET 能否胜任高频开关应用？
是的，它具有低栅极电荷特性，可在高频环境下高效运行，适合各种现代电子应用。
在安装和兼容性方面有哪些注意事项？
必须确认安装类型符合电路板设计，以优化性能并避免潜在的热管理或连接问题。
最大功率耗散对其应用有何影响？
由于最大功率耗散为 1.8 瓦，因此必须确保使用功率不超过这一限制，以防止过热和潜在故障。适当的热管理在设计中至关重要。
栅极源极电压有哪些限制？
栅极源极电压的范围为 -20V 至 +20V，必须遵守这一范围，才能在不损坏器件或影响性能的情况下保持有效运行。