Infineon N沟道耗尽型MOS管, Vds=200 V, 660 mA, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, SIPMOS®系列

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RS 库存编号:
354-5720
Distrelec 货号:
302-83-878
制造商零件编号:
BSP149H6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

660 mA

最大漏源电压

200 V

封装类型

SOT-223

系列

SIPMOS®

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

1.8 Ω

通道模式

耗尽

最大栅阈值电压

1V

最小栅阈值电压

2.1V

最大功率耗散

1.8 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

3.5mm

典型栅极电荷@Vgs

11 nC @ 5 V

长度

6.5mm

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

汽车标准

AEC-Q101

高度

1.6mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.2V

英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，660mA 最大连续漏极电流，1.8W 最大功率耗散 - BSP149H6327XTSA1


这款 MOSFET 是专为各种电子应用而设计的重要元件，采用紧凑型表面贴装封装，性能卓越。它非常适合控制自动化电路，与电子、电气和机械行业的用户息息相关。耗尽模式特性增强了开关应用的控制能力，是工程师的理想选择。

特点和优势


• 最大漏极-源极电压为 200V，适用于高压应用

• 连续漏极电流能力高达 660mA

• 采用 SIPMOS 技术，性能始终如一

• 符合 RoHS 规范，采用无铅镀层

• 额定 dv/dt 值可提高对电压变化的适应能力

应用


• 驱动器 在自动化系统中

• 用于能源管理的开关电源

• 符合 AEC-Q101 标准的汽车电子设备

耗尽模式特性有何意义？


耗尽模式可有效控制 MOSFET，即使在较低的电压下也能实现有效开关，有利于各种电子设计。

设备如何应对热挑战？


它的工作温度范围很宽，从 -55°C 到 +150°C 不等，在有效的热管理功能支持下，即使在极端的热条件下也能确保可靠的性能。

该元件的栅极阈值电压是多少？


栅极阈值电压范围为 -2.1V 至 -1V，为不同的电路要求提供了多种开关选项。

ESD 等级有何影响？


静电放电等级 1B 表明其设计可承受 500V 至 600V 的静电放电，从而提高了器件在敏感应用中的可靠性。