Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.8 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, SIPMOS®系列
- RS 库存编号:
- 445-2269
- 制造商零件编号:
- BSP295H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- BSP295H6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | SIPMOS® | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.8V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大功率耗散 | 1.8 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.8 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 SIPMOS® | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 300 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.8V | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大功率耗散 1.8 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
长度 6.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 3.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
高度 1.6mm | ||
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，1.8A 最大连续漏极电流，1.8W 最大功率耗散 - BSP295H6327XTSA1
这款 MOSFET 专为自动化和电子领域的高性能应用而设计。其 N 沟道配置与高效的表面贴装设计相结合，可实现有效的电流控制，适用于各种工业应用。它支持 60V 的最大漏极-源极电压，确保各种项目的性能始终如一。
特点和优势
• 可持续处理 1.8A 的漏极电流
• 最大漏极-源极电阻低至 300mΩ
• 栅极-源极电压范围宽，从 -20V 到 +20V
• 符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准
• 最大漏极-源极电阻低至 300mΩ
• 栅极-源极电压范围宽，从 -20V 到 +20V
• 符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准
应用
• 有效控制输出的电源管理系统
• 用于可靠开关操作的电机驱动器
• 各种电子设备中的信号放大
• 汽车电子控制单元
• 用于可靠开关操作的电机驱动器
• 各种电子设备中的信号放大
• 汽车电子控制单元
元件的典型功耗是多少？
在规定条件下，它的耗散功率可达 1.8W，可在运行过程中有效控制热量。
栅极阈值电压对性能有何影响？
最大栅极阈值电压为 1.8V，这使得 MOSFET 能够在低输入电平下实现最佳性能。
该元件能否处理脉冲漏极电流？
是的，它的额定脉冲漏极电流高达 6A，可有效管理瞬态条件。
有哪些包装选项？
该 MOSFET 采用 SOT-223 表面贴装封装，专为节省空间的设计而优化。
设备是否符合环保标准？
它采用无铅电镀，符合 RoHS 规范，符合现代环保要求。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。