Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=240 V, 350 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, BSP89H6327XTSA1, SIPMOS系列

RS 库存编号:: 445-2281
制造商零件编号:: BSP89H6327XTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=240 V, 350 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, BSP89H6327XTSA1, SIPMOS系列

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RS 库存编号:: 445-2281
制造商零件编号:: BSP89H6327XTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	350mA
	最大漏源电压 Vd	240V
	包装类型	SOT-223
	系列	SIPMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	6Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.1V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	1.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	4.3nC
	最高工作温度	150°C
	长度	6.5mm
	标准/认证	No
	宽度	3.5 mm
	高度	1.6mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 350mA
	最大漏源电压 Vd 240V
	包装类型 SOT-223
	系列 SIPMOS
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 6Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.1V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 1.8W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.3nC
	最高工作温度 150°C
	长度 6.5mm
	标准/认证 No
	宽度 3.5 mm
	高度 1.6mm
	汽车标准 AEC-Q101

英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，350 mA 最大连续漏极电流，1.8 W 最大功率耗散 - BSP89H6327XTSA1

这种 MOSFET 是高压电子应用的关键元件，可提供有效的开关功能。它采用 N 沟道增强模式技术，适用于汽车和工业电子产品，可确保在各种条件下高效运行。SOT-223 封装实现了多功能表面贴装，适合现代电路设计。

特点和优势

• 最大连续漏极电流为 350mA

• 漏极-源极额定电压高达 240V，安全性更高

• 低栅极阈值电压提高了灵敏度

• 功率耗散能力高达 1.8W

• 适用于开关时间较短的逻辑级应用

应用

• 汽车电子产品的电源管理

• 基于 MOSFET 的开关电源

• 电子电路中的信号放大

运行的最高温度范围是多少？

它能在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内有效工作，适合各种环境条件。

栅极阈值电压对性能有何影响？

较低的栅极阈值电压可使 MOSFET 在较低的输入电压下启动，从而提高电池供电设备的效率。

该设备兼容哪种安装方式？

该元件采用 SOT-223 封装，专为表面贴装而设计，便于集成到 PCB 中。

它能处理脉冲漏极电流吗？

是的，它可以管理高达 1.4A 的脉冲漏极电流，为突发性电源应用提供了更大的灵活性。

是否适合与微控制器一起使用？

是的，其逻辑级兼容性允许与微控制器输出直接连接，从而实现有效控制。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=240 V, 350 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚, BSP89H6327XTSA1, SIPMOS系列