Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, BSP603S2LHUMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 462-2935
- 制造商零件编号:
- BSP603S2LHUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 462-2935
- 制造商零件编号:
- BSP603S2LHUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 1.8W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 宽度 | 3.5 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5.2A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 1.8W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.5mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.6mm | ||
宽度 3.5 mm | ||
汽车标准 AEC-Q | ||
英飞凌 OptiMOS™ 系列 MOSFET，5.2A 最大连续漏极电流，1.8W 最大功率耗散 - BSP603S2LHUMA1
这款 N 沟道 MOSFET 可在各种电气应用中实现高效性能。它的最大连续漏极电流为 5.2A，最大漏极-源极电压为 55V，具有强大的电源管理和控制能力，是汽车和电子行业专业人士的重要元件。
特点和优势
• 低 RDS(on)最大限度地减少了运行过程中的功率损耗
• 最大栅极阈值电压可提高开关效率
• 表面贴装设计便于集成到紧凑型印刷电路板中
• 通过 AEC 认证，符合严格的汽车标准
• 高温运行额定温度高达 +150°C ，经久耐用
应用
• 汽车电子产品的电源管理
• 适用于电动汽车中的直流-直流转换器
• 用于机器人和自动化领域的电机控制
• 负载开关 消费电子
10V 电压下的典型栅极电荷是多少？
典型的栅极电荷为 31nC，优化了 10V 电压下的开关性能。
这是否适合在高温环境中应用？
是的，它能在高达 +150°C 的温度下可靠运行，是挑战性条件下的理想选择。
该组件如何处理大电流负载？
它的最大持续漏极电流为 5.2A，可在保持性能的同时有效管理高负载。
这种 MOSFET 能否有效降低能量损耗？
是的，低 RDS（on）特性最大限度地降低了导通电阻，有助于减少运行过程中的能量损耗。
该产品是否符合环保标准？
是的，它符合 RoHS 标准，确保符合电子元件的环境安全标准。