Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8.8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SPD08P06PGBTMA1, SIPMOS系列

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462-3247
制造商零件编号:
SPD08P06PGBTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

8.8A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

SIPMOS

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

300mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

正向电压 Vf

-1.55V

最大功耗 Pd

42W

最高工作温度

175°C

高度

2.3mm

宽度

6.22 mm

长度

6.5mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

英飞凌 SIPMOS® 系列 MOSFET，8.8A 最大连续漏极电流，42W 最大功率耗散 - SPD08P06PGBTMA1


这款 MOSFET 专为需要高效开关和控制的应用而设计。它可处理 8.8A 的连续漏极电流和 60V 的漏极-源极电压，适用于各种电子电路。该设备可在宽广的温度范围内有效工作，提高了在具有挑战性的环境中的性能。

特点和优势


• 增强模式运行确保高效开关性能

• 大功率容量满足强大的电子应用需求

• 低 Rds（on）最大限度地减少了运行期间的能量损耗

• 采用 DPAK 封装，可有效实现表面贴装应用

应用


• 适用于汽车电子控制装置，可靠性高

• 工业设备电源管理系统的理想选择

• 适用于电动汽车的电池管理系统

• 用于可再生能源系统的逆变器技术

• 用于消费产品的电子开关装置

使用 P 沟道配置有什么影响？


P 沟道配置便于集成到高压侧开关应用中，为电路内的控制提供了便利。

热性能如何影响使用寿命？


它能在高达 +175°C 的温度下工作，从而提高了可靠性，延长了在恶劣环境下的使用寿命。

AEC-Q101 资格认证有什么意义？


该认证确认了其在汽车应用中的适用性，符合严格的可靠性和安全性标准。

能否与其他 MOSFET 一起使用？


是的，它可以与其他元件集成，为高效的多开关应用创建互补电路。

哪些因素会影响该设备的功率耗散？


关键因素包括运行期间的环境温度、漏电流和工作周期，所有这些都会影响整体热性能。