STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 4 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, MDmesh, SuperMESH系列

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RS 库存编号:
485-7686
制造商零件编号:
STP4NK60Z
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

MDmesh, SuperMESH

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

70W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.8nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

高度

9.15mm

标准/认证

No

长度

10.4mm

汽车标准

否

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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