STMicroelectronics N沟道增强型功率 MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=60 V, Id=4 A, 8针, SOIC, STripFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
485-8358
Distrelec 货号:
304-42-969
制造商零件编号:
STS4DNF60L
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SOIC

系列

STripFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

55mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2W

最大栅源电压 Vgs

-15V, +15V

最高工作温度

+150°C

晶体管配置

隔离式

长度

5mm

高度

1.25mm

宽度

4mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 STripFET™ 双 MOSFET，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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