STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 6 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, STripFET系列
- RS 库存编号:
- 485-8386P
- 制造商零件编号:
- STS6NF20V
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- 485-8386P
- 制造商零件编号:
- STS6NF20V
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 系列 | STripFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 宽度 | 4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.25mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
系列 STripFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 40 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大功率耗散 2500 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
宽度 4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.25mm | ||
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
STMicroelectronics 功率 MOSFET 采用独特的 STripFET 工艺开发，专门设计用于有效减少输入电容和栅极电荷。这使该设备适合用作 Advanced 高效隔离直流 - 直流转换器中的主开关，用于电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用。
超低阈值栅极驱动
通过 100% 雪崩测试
低栅极电荷
通过 100% 雪崩测试
低栅极电荷
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics