Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 29 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFZ34NPBF, HEXFET系列

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540-9761
Distrelec 货号:
303-41-382
制造商零件编号:
IRFZ34NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

29A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.6V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

34nC

最大功耗 Pd

68W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

10.54mm

高度

8.77mm

宽度

4.4 mm

Distrelec Product Id

30341382

汽车标准

否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，29A 最大连续漏极电流，68W 最大功率耗散 - IRFZ34NPBF


这种 MOSFET 专为先进的电子应用而设计，尤其是对高效率和可靠性要求极高的应用。其 N 沟道结构有助于在电力系统中实现高效开关和电流调制。该元件的最大漏极-源极电压为 55V，持续漏极电流为 29A，对于自动化和电气领域的高性能设计至关重要。

特点和优势


• 超低导通电阻，将功率损耗降至最低

• 最大耗电 68 瓦，功能强大

• 高达 175°C 的高温耐受性可确保长期性能

• 兼容通孔安装，便于集成

• 动态 dv/dt 额定值适用于快速开关应用

• 增强型晶体管提高了设备效率

应用


• 用于电源设计，实现有效的能源管理

• 用于运动控制 用于精确调速

• 适用于离散开关 消费电子

• 应用于工业自动化，提高系统的可靠性

• 适用于汽车 要求高功率处理

100°C 时的最大连续漏极电流是多少？


在 100°C 温度条件下，连续漏极电流额定值为 20A，确保了在高温条件下的可靠性。

低导通电阻如何提高电路效率？


较低的 RDS（on）可减少运行过程中的功率损耗，从而提高整体电路效率并最大限度地减少发热。

能否用于并行配置？


是的，这种设计便于并联，提高了大功率应用的电流处理能力。

最大栅极-源极电压有什么影响？


最大栅极源极电压为 ±20V，可确保安全运行，并防止在标准开关活动中造成损坏。

温度对性能有何影响？


其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，可在极端条件下保持运行完整性，因此适用于各种应用。