Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 49 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFZ44NPBF, HEXFET系列

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540-9777
Distrelec 货号:
303-41-384
制造商零件编号:
IRFZ44NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

49A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

17.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

63nC

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

94W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

宽度

4.4 mm

长度

10.67mm

标准/认证

No

高度

8.77mm

汽车标准

否

Distrelec Product Id

30341384

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，49A 最大连续漏极电流，94W 最大功率耗散 - IRFZ44NPBF


这款 MOSFET 专为自动化、电子和电气工程应用而设计。它能以低电阻管理大电流，提高电子电路的效率。该器件采用 HEXFET 技术，在各种环境下都能提高可靠性和有效性。

特点和优势


• 利用增强模式进行响应控制

• 17.5mΩ 的低电阻可实现有效的电源管理

• 切换速度快，可提高系统性能

应用


• 适用于直流-直流转换器

• 电机驱动和控制系统

• 太阳能逆变器等可再生能源系统

低电阻对性能有什么影响？


17.5mΩ 的低导通电阻可最大限度地减少工作期间的能量损失，从而提高效率，这在大电流电路中非常有利。

温度对持续漏极电流有何影响？


25°C 时的额定连续漏极电流为 49A，100°C 时降至 35A，确保在不同环境下的安全使用。

该组件能否处理重复雪崩情况？


是的，它的设计可以承受重复雪崩条件，雪崩电流额定值高达 25A，雪崩能量为 9.4mJ，提供了更高的耐用性。

使用这种 MOSFET 对哪类应用最有利？


该元件尤其适用于大功率应用，包括需要高效能量转换的工业自动化控制和汽车系统。

是否与标准 PCB 设计兼容？


是的，其 TO-220AB 封装广泛用于各种 PCB 布局，可直接集成到现有设计中。