Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 110 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF3205PBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 540-9783
Distrelec 货号:: 303-41-274
制造商零件编号:: IRF3205PBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 110 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF3205PBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 540-9783
Distrelec 货号:: 303-41-274
制造商零件编号:: IRF3205PBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	110A
	最大漏源电压 Vd	55V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	8mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	200W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	146nC
	正向电压 Vf	1.3V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	宽度	4.69 mm
	长度	10.54mm
	标准/认证	No
	高度	8.77mm
	Distrelec Product Id	30341274
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 110A
	最大漏源电压 Vd 55V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 8mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 200W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 146nC
	正向电压 Vf 1.3V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	宽度 4.69 mm
	长度 10.54mm
	标准/认证 No
	高度 8.77mm
	Distrelec Product Id 30341274
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，110A 最大连续漏极电流，55V 最大漏极源极电压 - IRF3205PBF

这款 HEXFET MOSFET 是专为要求苛刻的应用而设计的高性能电力电子元件。它采用 N 沟道配置，最大连续漏极电流为 110A，最大漏极-源极电压为 55V。TO-220AB 封装可确保高效的热管理，适用于各种工业环境。

特点和优势

• 可在高达 +175°C 的高温下工作

• 提供快速开关特性，提高性能

• 卓越的雪崩等级，更加耐用

• 增强模式设计提供稳定的运行

• 专为便于通孔安装而设计

应用

• 用于电源中的功率转换

• 适用于电机控制

• 用于电池管理系统

• 应用于高频开关电路

• 集成到消费电子产品电源系统中

该元件应考虑哪些热特性？

从结点到外壳的热阻为 0.75°C/W，而在涂有油脂的平坦表面上使用时，外壳到水槽的热阻可低至 0.50°C/W。这对于在高负载情况下保持最佳性能至关重要。

规格如何影响总体性能？

低导通电阻和高持续漏极电流能力可降低功率损耗，提高热效率，从而增强各种应用的可靠性。

有哪些方法可以有效散热？

将散热片与 TO-220AB 封装结合使用，可以大大改善工作期间的散热效果，确保器件保持在安全的热极限范围内。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 110 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF3205PBF, HEXFET系列