Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 74 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF4905PBF, HEXFET系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣

小计（1 件）*

¥16.42

(不含税)

¥18.55

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 42 件可立即发货
  • 另外 350 件将从其他地点发货
  • 另外 79 件在 2025年12月17日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位
每单位
1 - 24RMB16.42
25 - 99RMB15.95
100 - 249RMB15.50
250 - 499RMB15.04
500 +RMB14.58

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
540-9799
制造商零件编号:
IRF4905PBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

74A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

200W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

180nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

-1.6V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

8.77mm

长度

10.54mm

宽度

4.69 mm

汽车标准

否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，74A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRF4905PBF


这款 MOSFET 为各种工业应用的电源管理提供了多功能解决方案。它的设计高效可靠，是电子和电气领域专业人员的必备之选。该产品具有强大的性能特点，可增强电路设计，确保在具有挑战性的环境中实现最佳运行。

特点和优势


• 74A 的高连续漏极电流能力可支持要求苛刻的应用

• 55V 的最大漏极-源极电压可实现有效的电源管理

• 20mΩ 的低导通电阻提高了能效

• 设计为增强型 MOSFET，可实现精确控制

• 采用 TO-220AB 封装，便于安装和集成

应用


• 用于直流-直流转换器，实现高效功率转换

• 电机控制的理想选择 需要大量当前管理

• 应用于电源，简化操作

• 适用于高负荷环境下的热管理

• 用于自动化系统中的可靠开关

低导通电阻对电路设计有何益处？


导通电阻的降低最大限度地减少了运行过程中的功率损耗，提高了整体能效和性能，这在大电流应用中至关重要。

使用 TO-220AB 封装有何意义？


TO-220AB 封装既能有效散热，又便于安装，是工业应用的首选。

该组件能否应对高温环境？


是的，它能在高达 +175°C 的温度下有效工作，适合严格的应用环境。

什么样的应用需要这种 MOSFET 的高连续漏极电流？


高持续漏极电流适合电机驱动器、功率转换器和其他需要强大功率处理能力的系统。

栅极阈值电压对性能有何影响？


2V 至 4V 的栅极阈值电压确保了可靠的开关性能，有助于在各种电子电路中实现精确控制。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。