Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 74 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 540-9799P
- 制造商零件编号:
- IRF4905PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 99 | RMB15.95 |
| 100 - 249 | RMB15.50 |
| 250 - 499 | RMB15.04 |
| 500 + | RMB14.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 540-9799P
- 制造商零件编号:
- IRF4905PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 74 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 20 MΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 200 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 正向二极管电压 | 1.6V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 74 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 20 MΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 200 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4.69mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.54mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 8.77mm | ||
正向二极管电压 1.6V | ||
Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V
Infineon的分立式HEXFET®功率MOSFET系列包括采用表面安装和引线封装的P通道器件，以及可应对几乎所有电路板布局和散热设计难题的外形尺寸。在整个系列内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，74A 最大连续漏极电流，200W 最大功率耗散 - IRF4905PBF
这款 MOSFET 为各种工业应用的电源管理提供了多功能解决方案。它的设计高效可靠，是电子和电气领域专业人员的必备之选。该产品具有强大的性能特点，可增强电路设计，确保在具有挑战性的环境中实现最佳运行。
特点和优势
• 74A 的高连续漏极电流能力可支持要求苛刻的应用
• 55V 的最大漏极-源极电压可实现有效的电源管理
• 20mΩ 的低导通电阻提高了能效
• 设计为增强型 MOSFET，可实现精确控制
• 采用 TO-220AB 封装，便于安装和集成
• 55V 的最大漏极-源极电压可实现有效的电源管理
• 20mΩ 的低导通电阻提高了能效
• 设计为增强型 MOSFET，可实现精确控制
• 采用 TO-220AB 封装，便于安装和集成
应用
• 用于直流-直流转换器，实现高效功率转换
• 电机控制的理想选择 需要大量当前管理
• 应用于电源，简化操作
• 适用于高负荷环境下的热管理
• 用于自动化系统中的可靠开关
• 电机控制的理想选择 需要大量当前管理
• 应用于电源，简化操作
• 适用于高负荷环境下的热管理
• 用于自动化系统中的可靠开关
低导通电阻对电路设计有何益处？
导通电阻的降低最大限度地减少了运行过程中的功率损耗，提高了整体能效和性能，这在大电流应用中至关重要。
使用 TO-220AB 封装有何意义？
TO-220AB 封装既能有效散热，又便于安装，是工业应用的首选。
该组件能否应对高温环境？
是的，它能在高达 +175°C 的温度下有效工作，适合严格的应用环境。
什么样的应用需要这种 MOSFET 的高连续漏极电流？
高持续漏极电流适合电机驱动器、功率转换器和其他需要强大功率处理能力的系统。
栅极阈值电压对性能有何影响？
2V 至 4V 的栅极阈值电压确保了可靠的开关性能，有助于在各种电子电路中实现精确控制。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。