Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=55 V, 27 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
540-9828
制造商零件编号:
IRFR4105PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

27 A

最大漏源电压

55 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

45 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

68 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

34 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

长度

6.73mm

晶体管材料

Si

宽度

6.22mm

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

高度

2.39mm

N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon


Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

Infineon IRFR4105 是 55V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 D-Pak 封装。D-PAK 设计用于使用汽相，红外或波焊技术进行表面安装。

快速切换
完全耐雪崩等级
无导线


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。