Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 140 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRL3803PBF, LogicFET系列

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RS 库存编号:
540-9979
制造商零件编号:
IRL3803PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

140A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

JEDEC TO-220AB

系列

LogicFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

200W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

16 V

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

140nC

最高工作温度

175°C

高度

8.77mm

长度

10.54mm

标准/认证

ANSI Y14.5M, 1982, JEDEC TO-220AB

宽度

4.69 mm

汽车标准

英飞凌 LogicFET 系列 MOSFET,140A 最大连续漏极电流,200W 最大功率耗散 - IRL3803PBF


这款 N 沟道 MOSFET 在功率应用中效率很高,Rds(on)很低,适用于各种电子和机械系统。通过先进的加工技术,它能在-55°C 至 +175°C 的温度范围内工作,在具有挑战性的环境中提供卓越的可靠性。该元件能够支持高功率耗散需求,是自动化和工业应用中的重要元件。

特点和优势


• 切换速度快,可提高系统整体性能

• 140A 的高连续漏极电流可满足各种应用需求

• 低最大漏极-源极电阻可降低功率损耗

• 双栅-源电压额定值提供了设计灵活性

• 完全符合雪崩等级,可在压力下保持性能

• 采用 TO-220AB 封装设计,实现高效热管理

应用


• 用于电源管理电路和电机控制

• 适用于要求可靠性的工业自动化系统

• 应用于电子设备的开关电源

• 适合可再生能源系统

连续漏极电流的最大额定值是多少?


在标准条件下,25°C 时的最大连续漏极电流为 140A,100°C 时降至 98A。

组件如何处理热管理?


它采用低热阻设计,功率耗散可达 200W,线性降额系数为 1.3W/°C。

其增强模式有何意义?


增强模式允许在没有大量栅极电压的情况下运行,从而实现了对开关机制的有效控制,这对低功耗应用至关重要。

它支持哪些特定额定电压?


它的栅极至源极电压范围为 ±16V,最大漏极至源极击穿电压为 30V,提高了电路设计的通用性。

它能应对高温环境吗?


是的,它能在极端条件下高效运行,结温额定值高达 +175°C 。