Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 89 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRL3705NPBF, HEXFET系列

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540-9991
制造商零件编号:
IRL3705NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

89A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

98nC

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

170W

最大栅源电压 Vgs

16 V

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

宽度

4.69 mm

标准/认证

No

高度

9.02mm

汽车标准

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET,89A 最大连续漏极电流,170W 最大功率耗散 - IRL3705NPBF


这款 N 沟道 MOSFET 专为高性能应用而设计,同时具有更高的效率和可靠性。它采用先进的 HEXFET 技术,导通电阻极小,适用于各种自动化、电子和电气应用。该设备可在很宽的温度范围内工作,确保在各种环境下都能有效发挥性能。

特点和优势


• 10mΩ 的低 Rds(on),可提高效率

• 以增强模式运行,用于创新电路设计

• 快速切换功能可提高系统响应速度

• 完全符合雪崩标准,可在严苛环境中经久耐用

应用


• 适用于工业电源管理系统

• 电机驱动的理想选择 自动化

• 与要求低热阻的电源兼容

• 用于直流-直流转换器,提高能源效率

最大功率耗散能力是多少?


最大功率耗散额定值为 170W,便于在高负载条件下进行有效的热管理。

是否适合高温环境?


该设备可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内工作,适用于各种高温环境。

栅极阈值电压范围有何意义?


栅极阈值电压范围为 1V 至 2V,这对于确定不同栅极驱动电压下的开/关状态至关重要。

在电路中使用时有哪些注意事项?


确保栅极至源极电压不超过 ±16V,以防止损坏并保持最佳功能。