Name: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 89 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
Brand: Infineon
SKU: 540-9991P
Price: 13.47 CNY
Availability: InStock

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	89 A
	最大漏源电压	55 V
	系列	HEXFET
	封装类型	TO-220AB
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	10 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	2V
	最小栅阈值电压	1V
	最大功率耗散	170 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-16 V、+16 V
	宽度	4.83mm
	最高工作温度	+175 °C
	典型栅极电荷@Vgs	98 nC @ 5 V
	晶体管材料	Si
	每片芯片元件数目	1
	长度	10.67mm
	最低工作温度	-55 °C
	高度	9.02mm
	正向二极管电压	1.3V

	选择全部
	品牌 Infineon
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 89 A
	最大漏源电压 55 V
	系列 HEXFET
	封装类型 TO-220AB
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 10 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 2V
	最小栅阈值电压 1V
	最大功率耗散 170 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -16 V、+16 V
	宽度 4.83mm
	最高工作温度 +175 °C
	典型栅极电荷@Vgs 98 nC @ 5 V
	晶体管材料 Si
	每片芯片元件数目 1
	长度 10.67mm
	最低工作温度 -55 °C
	高度 9.02mm
	正向二极管电压 1.3V

登录下载 CAD 模型

N 通道功率 MOSFET，55V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，89A 最大连续漏极电流，170W 最大功率耗散 - IRL3705NPBF

这款 N 沟道 MOSFET 专为高性能应用而设计，同时具有更高的效率和可靠性。它采用先进的 HEXFET 技术，导通电阻极小，适用于各种自动化、电子和电气应用。该设备可在很宽的温度范围内工作，确保在各种环境下都能有效发挥性能。

特点和优势

• 10mΩ 的低 Rds(on)，可提高效率
• 以增强模式运行，用于创新电路设计
• 快速切换功能可提高系统响应速度
• 完全符合雪崩标准，可在严苛环境中经久耐用

应用

• 适用于工业电源管理系统
• 电机驱动的理想选择自动化
• 与要求低热阻的电源兼容
• 用于直流-直流转换器，提高能源效率

最大功率耗散能力是多少？

最大功率耗散额定值为 170W，便于在高负载条件下进行有效的热管理。

是否适合高温环境？

该设备可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内工作，适用于各种高温环境。

栅极阈值电压范围有何意义？

栅极阈值电压范围为 1V 至 2V，这对于确定不同栅极驱动电压下的开/关状态至关重要。

在电路中使用时有哪些注意事项？

确保栅极至源极电压不超过 ±16V，以防止损坏并保持最佳功能。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位
5 - 9	RMB11.92
10 - 19	RMB11.63
20 - 39	RMB11.35
40 +	RMB11.08