Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 18 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-0014
- Distrelec 货号:
- 303-41-285
- 制造商零件编号:
- IRF640NPBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRF640NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 150 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 150 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 4.83mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 67 nC @ 10 V | ||
长度 10.67mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 8.77mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，18A 最大连续漏极电流，150W 最大功率耗散 - IRF640NPBF
这款 MOSFET 适用于高效开关应用，为各种电子系统提供可靠的解决方案。其 N 沟道配置可确保最小导通电阻和高可靠性，因此适用于工业和商业环境中的电源管理。该组件专为自动化和电气领域的用户设计，可确保其应用达到最佳性能。
特点和优势
• 连续漏极电流高达 18A，具有强大的功率处理能力
• 可在高达 200V 的电压下有效运行，提高了多功能性
• 低导通电阻最大限度地减少了运行过程中的能量损耗
• 简化的驱动要求便于集成到电路中
• 完全符合雪崩标准，安全性能更佳
• 可在高达 200V 的电压下有效运行，提高了多功能性
• 低导通电阻最大限度地减少了运行过程中的能量损耗
• 简化的驱动要求便于集成到电路中
• 完全符合雪崩标准，安全性能更佳
应用
• 用于工业自动化供电电路中
• 适用于电机控制 机器人
• 太阳能逆变器等可再生能源系统的理想选择
• 用于电气设备的电源开关系统
• 用于音频设备的放大级
• 适用于电机控制 机器人
• 太阳能逆变器等可再生能源系统的理想选择
• 用于电气设备的电源开关系统
• 用于音频设备的放大级
温度对性能有何影响？
该器件能在 -55°C 至 +175°C 温度范围内高效工作，可在各种热环境中使用而不会影响性能。
最大栅极-源极电压有何意义？
MOSFET 支持 ±20V 的栅源电压电平，可确保安全运行并防止在开关操作期间造成损坏。
该元件能否处理突如其来的电压尖峰？
是的，它完全符合雪崩额定值，能够承受短暂的电压尖峰，从而提高了在具有挑战性的应用中的性能。
抗药性对总体效率有何影响？
低导通电阻大大降低了运行期间的功耗，从而提高了电源管理应用的能效。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。