Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 30 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IRFP250NPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-0042
- 制造商零件编号:
- IRFP250NPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 541-0042
- 制造商零件编号:
- IRFP250NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 75mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 123nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.3 mm | |
| 高度 | 20.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 75mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 123nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 15.9mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.3 mm | ||
高度 20.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，30A 最大连续漏极电流，214W 最大功率耗散 - IRFP250NPBF
这款功率 MOSFET 专为各种电子应用的高性能而设计。作为 N 沟道 MOSFET，它能在施加电压时有效增强电流。其显著特点是能够在保持低导通电阻的同时管理高电流水平，因此适用于功率密集型应用。
特点和优势
• 30A 的连续额定漏极电流支持强劲的性能
• 214 瓦的功率耗散能力可满足重型应用的需要
• 200V 的最大漏极-源极电压有助于提高器件的可靠性
• 75 mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了运行过程中的能量损耗
• 增强模式可改善电路应用中的控制和效率
• 与 TO-247AC 封装兼容，可无缝集成到现有系统中
应用
• 工业自动化电源
• 驱动电子电路中的大电流负载
• 可再生能源系统中的变流器和逆变器
• 电机控制 需要快速切换
这种 MOSFET 如何应对高温？
它的最高工作温度为 +175°C ，可在高热环境下有效工作，确保在压力下保持稳定的性能。
指定的抗药性有什么影响？
75 mΩ 的低 Rds(on) 值降低了功率损耗，提高了整体效率，并减少了使用过程中的发热量。
该设备是否适合脉冲应用？
是的，它可以处理高达 120A 的脉冲漏极电流，因此适合短时大电流应用。
运行期间如何管理栅极电压？
该器件的栅极到源极电压范围为 -20 V 至 +20 V，为各种控制电路提供了灵活性。
雪崩评级的意义何在？
单脉冲雪崩能量额定值为 315 mJ，这表明它能够承受短暂的能量浪涌，在故障条件下提供保护。