Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 47 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRLZ44NPBF, HEXFET系列

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541-0086
Distrelec 货号:
303-41-412
制造商零件编号:
IRLZ44NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

47A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

22mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

48nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

110W

最大栅源电压 Vgs

16 V

最高工作温度

175°C

高度

8.77mm

长度

10.54mm

标准/认证

No

宽度

4.69 mm

汽车标准

Distrelec Product Id

30341412

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET,47A 最大连续漏极电流,110W 最大功率耗散 - IRLZ44NPBF


英飞凌的这款高性能 N 沟道 MOSFET 专为电子系统中的高效开关和大功率处理而设计。它采用先进的 HEXFET 技术,可满足各种半导体应用的需要,适合自动化、电子和电气工程领域追求电源管理强大性能的专业人士使用。

特点和优势


• 支持高达 47A 的连续耗尽电流,可有效提供电源

• 工作电压为 55V,提高了应用的多样性

• 110 瓦的最大功率耗散优化了散热管理

• 增强模式设计确保有效切换和控制

• 1V 至 2V 的低栅极阈值电压范围有利于使用最小驱动电压进行控制

• 高电流处理能力和 22mΩ 的低导通电阻提高了效率

应用


• 需要高效负载开关的电源电路

• 可再生能源系统中的直流-直流转换器

• 汽车 高性能要求

• 提高运行效率的电机控制系统

• 需要精确功率调节的照明系统

设备的工作温度范围是多少?


该设备可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作,确保了在各种环境条件下的可靠性。

如何安装才能达到最佳性能?


它采用 TO-220AB 封装,专为通孔安装而设计,可在运行期间有效散热。

它能与其他电源管理组件一起使用吗?


是的,它与一系列电源管理和开关元件兼容,可无缝集成到各种电路设计中。

栅极阈值电压范围有什么影响?


栅极阈值电压为 1V 至 2V,便于使用标准信号电平进行驱动,从而简化了电路设计并提高了兼容性。

它适合高频应用吗?


它在 5V 电压下的栅极电荷低至 48nC,支持高频开关应用,有助于提高电源系统的整体效率。