Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 2.5 A, HVMDIP, 通孔安装, 4引脚, IRLD系列

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包装方式:
RS 库存编号:
541-0632P
制造商零件编号:
IRLD024PBF
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

HVMDIP

系列

IRLD

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

100mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

10 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.3W

正向电压 Vf

1.5V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最高工作温度

175°C

高度

3.37mm

长度

5mm

标准/认证

No

宽度

6.29 mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor