Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 17 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF530NPBF, HEXFET系列

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541-0755
Distrelec 货号:
303-41-282
制造商零件编号:
IRF530NPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

17A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-220

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

90mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

37nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

70W

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4.69 mm

长度

10.54mm

高度

8.77mm

汽车标准

否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，17A 最大连续漏极电流，70W 最大功率耗散 - IRF530NPBF


这款大功率 MOSFET 专为高效开关应用而设计，可在各种环境下提供稳定的性能。其 N 沟道增强模式配置使其适用于对有效电流管理至关重要的众多电子和电气应用。其主要技术指标使其成为现代自动化和控制系统的重要组成部分。

特点和优势


• 90mΩ 的低导通电阻提高了效率

• 最大漏极电流处理能力为 17A

• 工作温度范围为 -55°C 至 +175°C

• 开关速度快，可减少能源损耗

• 坚固的设计提高了负载下的可靠性

• 多功能 TO-220AB 封装便于集成

应用


• 工业自动化中的电源管理

• 电机控制电路中的集成

• 在供电系统中用于电压调节

• 在高效变流器和逆变器中的应用

• 适用于需要动态负载支持的消费电子产品

最佳运行是否需要特定的栅极电压？


该器件可在 -20V 至 +20V 的栅源电压范围内有效工作，确保可靠的开关功能。

该器件的最大脉冲漏极电流是多少？


最大脉冲漏极电流额定值为 60A，可在不影响器件完整性的情况下满足瞬态条件。

热阻值对性能有何影响？


结到外壳的热阻为 2.15°C/W，有效的散热对于在高负荷运行时保持性能至关重要。

焊接该元件时有哪些注意事项？


建议焊接温度为 300°C，持续时间为 10 秒。必须遵守这一准则，以防止损坏。

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon


Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。