Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 17 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-0755
- Distrelec 货号:
- 303-41-282
- 制造商零件编号:
- IRF530NPBF
- 制造商:
- Infineon
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- IRF530NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 17 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 90 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 70 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 37 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 17 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 90 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 70 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.54mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V | ||
宽度 4.69mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 8.77mm | ||
N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon
Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，17A 最大连续漏极电流，70W 最大功率耗散 - IRF530NPBF
这款大功率 MOSFET 专为高效开关应用而设计，可在各种环境下提供稳定的性能。其 N 沟道增强模式配置使其适用于对有效电流管理至关重要的众多电子和电气应用。其主要技术指标使其成为现代自动化和控制系统的重要组成部分。
特点和优势
• 90mΩ 的低导通电阻提高了效率
• 最大漏极电流处理能力为 17A
• 工作温度范围为 -55°C 至 +175°C
• 开关速度快，可减少能源损耗
• 坚固的设计提高了负载下的可靠性
• 多功能 TO-220AB 封装便于集成
• 最大漏极电流处理能力为 17A
• 工作温度范围为 -55°C 至 +175°C
• 开关速度快，可减少能源损耗
• 坚固的设计提高了负载下的可靠性
• 多功能 TO-220AB 封装便于集成
应用
• 工业自动化中的电源管理
• 电机控制电路中的集成
• 在供电系统中用于电压调节
• 在高效变流器和逆变器中的应用
• 适用于需要动态负载支持的消费电子产品
• 电机控制电路中的集成
• 在供电系统中用于电压调节
• 在高效变流器和逆变器中的应用
• 适用于需要动态负载支持的消费电子产品
最佳运行是否需要特定的栅极电压？
该器件可在 -20V 至 +20V 的栅源电压范围内有效工作，确保可靠的开关功能。
该器件的最大脉冲漏极电流是多少？
最大脉冲漏极电流额定值为 60A，可在不影响器件完整性的情况下满足瞬态条件。
热阻值对性能有何影响？
结到外壳的热阻为 2.15°C/W，有效的散热对于在高负荷运行时保持性能至关重要。
焊接该元件时有哪些注意事项？
建议焊接温度为 300°C，持续时间为 10 秒。必须遵守这一准则，以防止损坏。
能否在供电不稳定的情况下使用？
是的，该设备专为处理动态条件而设计，因此适用于负载和电源可变的各种应用。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。