Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF9Z24NPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 541-0799
Distrelec 货号:: 303-41-312
制造商零件编号:: IRF9Z24NPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=55 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF9Z24NPBF, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRF9Z24NPBF
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产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	12A
	最大漏源电压 Vd	55V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	175mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	19nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	45W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	正向电压 Vf	-1.6V
	最高工作温度	175°C
	长度	10.54mm
	高度	8.77mm
	标准/认证	No
	宽度	4.69 mm
	汽车标准	否
	Distrelec Product Id	30341312

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 12A
	最大漏源电压 Vd 55V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 175mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 45W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	正向电压 Vf -1.6V
	最高工作温度 175°C
	长度 10.54mm
	高度 8.77mm
	标准/认证 No
	宽度 4.69 mm
	汽车标准否
	Distrelec Product Id 30341312

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，12A 最大连续漏极电流，45W 最大功率耗散 - IRF9Z24NPBF

这款高性能 MOSFET 专为各种应用中的高效电源管理而设计。它采用 P 沟道结构，非常适合控制开关和增强电流。该产品在驱动大功率负载方面发挥着至关重要的作用，可确保在具有挑战性的条件下保持稳定的性能和热稳定性。

特点和优势

• 最大连续漏极电流为 12A

• 最大漏极-源极电压为 55V

• 175mΩ 的低 RDS(on)，可减少功率损耗

• 栅极源极电压为正负时均可工作

应用

• 用于自动化电源管理系统

• 用于电子产品的开关电源

• 有利于提高音频放大器的性能

• 常见于各种消费电子产品，可有效利用能源

要达到最佳性能，一般需要多少栅极电荷？

在栅极-源极电压为 10V 时，典型的栅极电荷为 19nC，从而提供了有效的开关特性。

通道类型对功能有何影响？

作为一种 P 沟道 MOSFET，它可以更好地集成到高压侧开关应用中，从而扩大了电源电路的潜在应用范围。

温度范围有何意义？

工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，确保了在各种环境下的可靠性，使其成为不同工业应用的通用产品。

它能用于高频开关应用吗？

是的，低栅极电荷和低电阻的组合使其适用于高频应用，提高了性能效率。

安装时有哪些注意事项？

确保正确的热管理和适当的安装，以促进有效散热，从而提高运行寿命和可靠性。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF9Z24NPBF, HEXFET系列