Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 14 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRF9530NPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 541-0828
- Distrelec 货号:
- 303-41-309
- 制造商零件编号:
- IRF9530NPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRF9530NPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 14A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 200mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 79W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 8.77mm | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.69 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 30341309 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 14A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 200mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 79W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 8.77mm | ||
长度 10.54mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.69 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 30341309 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，14A 最大连续漏极电流，79W 最大功率耗散 - IRF9530NPBF
这款 MOSFET 专为自动化、电子和电气领域的高效应用而设计。其 P 沟道配置可提高开关性能，对电源管理系统至关重要。该设备可在各种环境下有效运行，在具有挑战性的条件下提供稳定的性能，是追求耐用性和效率的工程师和设计师的重要组件。
特点和优势
• 最大连续漏极电流为 14A，性能强劲
• 与高达 100V 的漏极-源极电压兼容，实现多功能性
• 200mΩ 的低导通电阻提高了电源效率
• TO-220AB 封装设计便于安装和散热
• 增强模式运行确保可靠的开关性能
• 4V 的高栅极阈值电压可实现有效控制
应用
• 适合集成到电源电路中
• 用于电机控制系统，提高效率
• 适用于电源转换器，加强能源管理
• 电源开关的理想选择 在电子设备中
• 用于大电流驱动器电路，可靠性高
工作温度范围对使用有何影响？
该设备可在 -55°C 至 +175°C 温度范围内有效运行，在极端条件下也能正常工作，而不会影响性能。
最大功率耗散规范有什么影响？
该组件的最大功率耗散为 79W，可满足大量负载需求，确保在高性能环境中稳定运行并延长使用寿命。
能否并联使用以提高电流容量？
是的，它可以并联布置，以有效分配电流负载，前提是热管理得到适当解决。
安装时应采取哪些预防措施？
适当的散热对防止过热至关重要; 必须确保热阻符合系统规格，以保证长期可靠性。
器件选择对整个电路性能有何影响？
选择适当的规格可提高电路效率，减少功率损耗，提高整体系统性能，尤其是在高需求应用中。